shallowtrenchisolation製程

淺矽溝槽製程(ShadowTrenchIsolationProcess)正是做為半導體製程中隔離電晶體開與關的功能,但是在製造過程當中遇到缺陷(Defect)便會影響到產品的穩定 ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforreducingelectricalinterferencesbetweendevicesofsub-microandsub100- ...,2014年12月19日—STI=ShallowTrenchIsolation.顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔...

參考資訊如下
半導體淺溝槽內之矽筍狀缺陷去除

淺矽溝槽製程(Shadow Trench Isolation Process)正是做為半導體製程中隔離電晶體開與關的功能,但是在製造過程當中遇到缺陷(Defect)便會影響到產品的穩定 ...

工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文

由 嚴永民 著作 · 2011 — Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor device for reducing electrical interferences between devices of sub-micro and sub 100- ...

何謂STI? - WU MIN SHIN

2014年12月19日 — STI = Shallow Trench Isolation. 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...

半導體淺溝槽內之矽筍狀缺陷去除

淺矽溝槽製程(Shadow Trench Isolation Process)正是做為半導體製程中隔離電晶體開與關的功能,但是在製造過程當中遇到缺陷(Defect)便會影響到產品的穩定 ...

TWI508224B

淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術，可以防止相鄰半導體元件之間的漏電流(leakage current)產生，還具有增加元件積集度( ...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究

由 黃國峰 著作 · 2012 — ... 製程研究. Study of Nano-scale Shallow Trench Isolation Planarization Process for Semiconductor Integrated Circuits Manufacture. 黃國峰(Kuo-Feng Huang). 指導 ...

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

... (Trench Oxide Dishing)的製程瓶. 頸。 關鍵詞. 淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation; STI)；固定式砥粒研磨(Fixed Abrasive. Polishing)；化學機械研磨(Direct CMP) ...